TSM2N7002AKCX RFG

Taiwan Semiconductor
821-TSM2N7002AKCXRFG
TSM2N7002AKCX RFG

Fab. :

Description :
MOSFET 60V, 0.3A, Single N-Channel Power MOSFET

Modèle de ECAO:
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En stock: 6.322

Stock:
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Délai usine :
16 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
0,198 € 0,20 €
0,135 € 1,35 €
0,085 € 8,50 €
0,053 € 26,50 €
0,045 € 45,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
0,039 € 117,00 €
0,033 € 198,00 €
0,024 € 216,00 €
0,022 € 528,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Taiwan Semiconductor
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
60 V
300 mA
2.5 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
1.65 nC
- 55 C
+ 150 C
357 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Taiwan Semiconductor
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Temps de descente: 5.5 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 1.7 ns
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Délai de désactivation type: 7.5 ns
Délai d'activation standard: 2.5 ns
Raccourcis pour l'article N°: TSM2N7002AKCX
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (RDS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. These power MOSFETs are available in single and dual configuration variants. The TSM2N7002 power MOSFETs operate at 60V drain-source breakdown voltage and -55°C to +150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.