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TK750A60F,S4X

Name: Toshiba TK750A60F,S4X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK750A60FS4X
Price: 2.43 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

757-TK750A60FS4X

N° de fab. :

TK750A60F,S4X

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 40W 1130pF 10A

Fiche technique:

TK750A60F,S4X Fiche technique (PDF)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,43 €	2,43 €
	1,21 €	12,10 €
	1,08 €	108,00 €
	0,877 €	438,50 €
	0,869 €	869,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	10 A
Rds On - Résistance drain-source:	750 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	30 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	40 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MOSIX
Conditionnement:	Tube
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	20 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	22 ns
Série:	TK750A60F
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	80 ns
Délai d'activation standard:	45 ns
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

TK750A60F,S4X Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

π-MOS IX Planar Power MOSFETs

Toshiba π-MOS IX Planar Power MOSFETs offer high-efficiency and low noise in a compact TO-220SIS package. π-MOS IX MOSFETs provide optimal performance due to the double-diffused process design adjustment. With an optimized chip design, the π-MOS IX components provide 5dB lower peak EMI noise than the previous π-MOS VII series, while maintaining the same efficiency level. These N-channel power MOSFETs offer high design flexibility, reducing workloads. In addition, the π-MOS IX series provides the same rated avalanche current and rated drain current (DC), making it simple to replace existing MOSFETs.