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TK210V65Z,LQ

Name: Toshiba TK210V65Z,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK210V65ZLQ
Price: 1.61 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

757-TK210V65ZLQ

N° de fab. :

TK210V65Z,LQ

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI

Fiche technique:

TK210V65Z,LQ Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	15 A
Rds On - Résistance drain-source:	210 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	25 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	130 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Temps de descente:	4 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	14 ns
Série:	DTMOS VI
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	66 ns
Délai d'activation standard:	34 ns
Poids de l''unité:	161,193 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET à super-jonction DTMOS-VI 650 V

Les MOSFET à super-jonction DTMOS-VI 650 V de Toshiba sont conçus pour fonctionner dans les alimentations de commutation. Ces MOSFET à canal N disposent de propriétés de commutation à haute vitesse avec une capacité plus faible. Les MOSFET à super-jonction DTMOS-VI 650 V offrent une faible résistance à l'état passant de source de drain standard de 0,092 Ω à 0,175 Ω. Ces composants disposent d'une tension drain-source de 10 V.