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TK1R4S04PB,LXHQ

Name: Toshiba TK1R4S04PB,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK1R4S04PB,LXHQ
Price: 2.31 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

757-TK1R4S04PB,LXHQ

N° de fab. :

TK1R4S04PB,LXHQ

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

Fiche technique:

TK1R4S04PB,LXHQ Fiche technique (PDF)

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,31 €	2,31 €
	1,50 €	15,00 €
	1,03 €	103,00 €
	0,829 €	414,50 €
	0,807 €	807,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	0,705 €	1.410,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	120 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.35 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	103 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	180 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Temps de descente:	23 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	14 ns
Série:	U-MOSIX-H
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	82 ns
Délai d'activation standard:	47 ns
Raccourcis pour l'article N°:	TK1R4S04PB,LXHQ(O
Poids de l''unité:	360 mg

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Attributs sélectionnés: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

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Fiche technique

TK1R4S04PB,LXHQ Fiche technique (PDF)

Application Notes

Models

Simulation Model

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance U-MOSIX-H automobiles

Les MOSFET de puissance U-MOSIX-H automobiles de Toshiba sont des MOSFET de puissance à canal N 40 V idéaux pour les applications automobiles. Ces composants sont logés dans un petit boîtier SOP Advance (WF) à faible résistance. Ils disposent d'une faible résistance à l'état passant, ce qui peut réduire la perte de conduction. La série U-MOSIX-H réduit également le bruit de commutation par rapport à la série précédente de Toshiba Electronic Devices et Storage Corporation (U-MOSIV).’

Dispositifs pour automobiles

Les composants automobiles de Toshiba offrent une large gamme de MOSFET, une isolation optique, des transistors et des diodes pour couvrir diverses applications automobiles dans les systèmes de batteries de 12 V à 48 V. De plus, Toshiba offre des pilotes de commande de moteur de classe automobile. Les composants automobiles Toshiba sont homologués AEC-Q100 et AEC-Q101.

MOSFET de puissance automobiles homologués AEC-Q101

Les MOSFET de puissance homologués AEC-Q101 automobiles de Toshiba sont une gamme étendue de MOSFET de puissance pour couvrir diverses applications automobiles dans les systèmes de batterie de 12 V à 48 V. Toshiba fait partie du secteur automobile discret depuis les années 60, en commençant par les redresseurs puis les MOSFET automobiles à partir des années 90. Avec leurs performances et leur fiabilité, tous les produits automobiles de Toshiba vont au-delà des normes AEC-Q101.’

U-MOSIX-H Low Voltage Enhancement Mode MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are high-efficiency MOSFETs that are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies. This includes notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, flat-panel displays. It also includes DC-DC power supplies for communication equipment, servers and data centers. They feature high-speed switching, small gate charge, and low drain-source on-resistance. These MOSFETs are fabricated with the latest Gen-8 and Gen-9 trench MOS processes. The U-MOSIX-H Low Voltage MOSFETs will help improve the efficiency of power supplies.
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