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TK190U65Z,RQ

Name: Toshiba TK190U65Z,RQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK190U65ZRQ
Price: 3.96 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

757-TK190U65ZRQ

N° de fab. :

TK190U65Z,RQ

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ

Fiche technique:

TK190U65Z,RQ Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	3,96 €	3,96 €
	2,02 €	20,20 €
	1,61 €	161,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	1,61 €	3.220,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	2-10AF1A-9
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	15 A
Rds On - Résistance drain-source:	149 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	25 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	130 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	4 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	14 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	66 ns
Délai d'activation standard:	34 ns
Poids de l''unité:	750 mg

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Fiche technique

TK190U65Z,RQ Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET DTMOS VI à haute tension en boîtier TOLL

Les MOSFET DTMOSVI haute tension en boîtier TOLL de Toshiba disposent d’une faible résistance drain-source en marche (Rdson) et de propriétés de commutation à haute vitesse avec une capacité plus faible. Cela les rend idéaux pour les applications d’alimentation à commutation. Cette dernière génération DTMOSVI offre le plus faible facteur de mérite RDS (ON) xQgd et est logée dans le nouveau boîtier TOLL (9,9 × 11,68 × 2,3 mm) avec une connexion de source Kelvin pour réduire les pertes en allumage et hors tension.

DTMOSVI MOSFETs

Toshiba DTMOSVI MOSFETs offer a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical), a drain-source voltage of 650V, and a drain current of 57A. The DTMOSVI MOSFETs offer high-speed switching properties with lower capacitance. These MOSFETs are ideal for use in switching power supply applications.