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TK155U65Z,RQ

Name: Toshiba TK155U65Z,RQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK155U65ZRQ
Price: 1.87 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

757-TK155U65ZRQ

N° de fab. :

TK155U65Z,RQ

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ

Fiche technique:

TK155U65Z,RQ Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	2-10AF1A-9
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	18 A
Rds On - Résistance drain-source:	122 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	29 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	150 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	JP
Temps de descente:	4 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	16 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	70 ns
Délai d'activation standard:	37 ns
Poids de l''unité:	750 mg

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Fiche technique

TK155U65Z,RQ Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET DTMOS VI à haute tension en boîtier TOLL

Les MOSFET DTMOSVI haute tension en boîtier TOLL de Toshiba disposent d’une faible résistance drain-source en marche (Rdson) et de propriétés de commutation à haute vitesse avec une capacité plus faible. Cela les rend idéaux pour les applications d’alimentation à commutation. Cette dernière génération DTMOSVI offre le plus faible facteur de mérite RDS (ON) xQgd et est logée dans le nouveau boîtier TOLL (9,9 × 11,68 × 2,3 mm) avec une connexion de source Kelvin pour réduire les pertes en allumage et hors tension.

DTMOSVI MOSFETs

Toshiba DTMOSVI MOSFETs offer a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical), a drain-source voltage of 650V, and a drain current of 57A. The DTMOSVI MOSFETs offer high-speed switching properties with lower capacitance. These MOSFETs are ideal for use in switching power supply applications.