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TK110A65Z,S4X

Name: Toshiba TK110A65Z,S4X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK110A65ZS4X
Price: 5.03 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

757-TK110A65ZS4X

N° de fab. :

TK110A65Z,S4X

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

Fiche technique:

TK110A65Z,S4X Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	24 A
Rds On - Résistance drain-source:	110 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	40 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	45 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Temps de descente:	4 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	28 ns
Série:	DTMOS VI
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	90 ns
Délai d'activation standard:	52 ns
Poids de l''unité:	2 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET à super-jonction DTMOS-VI 650 V

Les MOSFET à super-jonction DTMOS-VI 650 V de Toshiba sont conçus pour fonctionner dans les alimentations de commutation. Ces MOSFET à canal N disposent de propriétés de commutation à haute vitesse avec une capacité plus faible. Les MOSFET à super-jonction DTMOS-VI 650 V offrent une faible résistance à l'état passant de source de drain standard de 0,092 Ω à 0,175 Ω. Ces composants disposent d'une tension drain-source de 10 V.