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TK080U60Z1,RQ

Name: Toshiba TK080U60Z1,RQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK080U60Z1RQ
Price: 4.35 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

757-TK080U60Z1RQ

N° de fab. :

TK080U60Z1,RQ

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

TK080U60Z1,RQ Fiche technique (PDF)

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	4,35 €	4,35 €
	2,89 €	28,90 €
	2,06 €	206,00 €
	1,96 €	980,00 €
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	1,66 €	3.320,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TOLL-9
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Rds On - Résistance drain-source:	80 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	43 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	211 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Temps de descente:	4 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	20 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	93 ns
Délai d'activation standard:	50 ns

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Fiche technique

TK080U60Z1,RQ Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET à canal N en silicium TKx

Les MOSFET à canal N en silicium TKx de Toshiba sont disponibles en versions U-MOSX-H et DTMOSVI et affichent des caractéristiques de performance exceptionnelles. Ces MOSFET sont conçus avec des temps de récupération inverse rapides qui améliorent l’efficacité dans des applications de commutation à haute vitesse en réduisant le délai entre les phases d’arrêt et d'enclenchement. La faible résistance drain-source à l'état passant [RDS_(on)] contribue à réduire les pertes de puissance et à améliorer lagestion thermique , ce qui les rend idéaux pour les applications nécessitant une forte capacité de conduction avec une faible dissipation énergétique.