TK055U60Z1,RQ

Toshiba
757-TK055U60Z1RQ
TK055U60Z1,RQ

Fab. :

Description :
MOSFET 600V DTMOS VI TOLL 55mohm

Modèle de ECAO:
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Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

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Ext. Prix
6,75 € 6,75 €
4,61 € 46,10 €
3,84 € 384,00 €
3,49 € 1.745,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
3,20 € 6.400,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Toshiba
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
600 V
40 A
55 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
65 nC
270 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marque: Toshiba
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Temps de descente: 5 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 25 ns
Nombre de pièces de l'usine: 2000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 132 ns
Délai d'activation standard: 59 ns
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET DTMOS VI à haute tension en boîtier TOLL

Les MOSFET DTMOSVI haute tension en boîtier TOLL de Toshiba disposent d’une faible résistance drain-source en marche (Rdson) et de propriétés de commutation à haute vitesse avec une capacité plus faible. Cela les rend idéaux pour les applications d’alimentation à commutation. Cette dernière génération DTMOSVI offre le plus faible facteur de mérite RDS (ON) xQgd et est logée dans le nouveau boîtier TOLL (9,9 × 11,68 × 2,3 mm) avec une connexion de source Kelvin pour réduire les pertes en allumage et hors tension.