Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

TJ80S04M3L,LXHQ

Name: Toshiba TJ80S04M3L,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TJ80S04M3L,LXHQ
Price: 1.88 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

757-TJ80S04M3L,LXHQ

N° de fab. :

TJ80S04M3L,LXHQ

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

Fiche technique:

TJ80S04M3L,LXHQ Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Toshiba TJ80S04M3L,LXHQ

En stock: 4.116

Stock:: 4.116 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,88 €	1,88 €
	1,21 €	12,10 €
	0,819 €	81,90 €
	0,653 €	326,50 €
	0,607 €	607,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	0,578 €	1.156,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	80 A
Rds On - Résistance drain-source:	5.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	158 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	100 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Toshiba
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	JP
Temps de descente:	300 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	100 ns
Série:	UMOS VI
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	970 ns
Délai d'activation standard:	125 ns
Raccourcis pour l'article N°:	TJ80S04M3L,LXHQ(O
Poids de l''unité:	360 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

Filtrer les documents:

Fiche technique

TJ80S04M3L,LXHQ Fiche technique (PDF)

Application Notes

Models

Simulation Model

Product Catalogs

Selection Guide 2024 - MOSFETs

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance U-MOSVI automobiles

Les MOSFET de puissance U-MOSVI automobiles de Toshiba sont des MOSFET de puissance à canal P -40 V pour les applications automobiles. Ils disposent d'une tension de commande de grille de -4,5 V par rapport à -6 V pour les produits conventionnels en boîtier DPAK+. Cela permet d'utiliser les systèmes même lorsque la tension de la batterie/pile chute. Les MOSFET disposent d'une faible résistance à l'état passant.

MOSFET de puissance automobiles homologués AEC-Q101

Les MOSFET de puissance homologués AEC-Q101 automobiles de Toshiba sont une gamme étendue de MOSFET de puissance pour couvrir diverses applications automobiles dans les systèmes de batterie de 12 V à 48 V. Toshiba fait partie du secteur automobile discret depuis les années 60, en commençant par les redresseurs puis les MOSFET automobiles à partir des années 90. Avec leurs performances et leur fiabilité, tous les produits automobiles de Toshiba vont au-delà des normes AEC-Q101.’

Dispositifs pour automobiles

Les composants automobiles de Toshiba offrent une large gamme de MOSFET, une isolation optique, des transistors et des diodes pour couvrir diverses applications automobiles dans les systèmes de batteries de 12 V à 48 V. De plus, Toshiba offre des pilotes de commande de moteur de classe automobile. Les composants automobiles Toshiba sont homologués AEC-Q100 et AEC-Q101.