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TJ30S06M3L,LXHQ

Name: Toshiba TJ30S06M3L,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TJ30S06M3L,LXHQ
Price: 1.36 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

757-TJ30S06M3L,LXHQ

N° de fab. :

TJ30S06M3L,LXHQ

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101

Fiche technique:

TJ30S06M3L,LXHQ Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,36 €	1,36 €
	0,912 €	9,12 €
	0,636 €	63,60 €
	0,502 €	251,00 €
	0,459 €	459,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	0,409 €	818,00 €
	0,387 €	1.548,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Rds On - Résistance drain-source:	21.8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	80 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	68 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Toshiba
Temps de descente:	118 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	43 ns
Série:	UMOS VI
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	430 ns
Délai d'activation standard:	64 ns
Raccourcis pour l'article N°:	TJ30S06M3L,LXHQ(O
Poids de l''unité:	360 mg

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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

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Fiche technique

TJ30S06M3L,LXHQ Fiche technique (PDF)

Application Notes

Models

Simulation Model

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance U-MOSVI automobiles

Les MOSFET de puissance U-MOSVI automobiles de Toshiba sont des MOSFET de puissance à canal P -40 V pour les applications automobiles. Ils disposent d'une tension de commande de grille de -4,5 V par rapport à -6 V pour les produits conventionnels en boîtier DPAK+. Cela permet d'utiliser les systèmes même lorsque la tension de la batterie/pile chute. Les MOSFET disposent d'une faible résistance à l'état passant.

Dispositifs pour automobiles

Les composants automobiles de Toshiba offrent une large gamme de MOSFET, une isolation optique, des transistors et des diodes pour couvrir diverses applications automobiles dans les systèmes de batteries de 12 V à 48 V. De plus, Toshiba offre des pilotes de commande de moteur de classe automobile. Les composants automobiles Toshiba sont homologués AEC-Q100 et AEC-Q101.

MOSFET de puissance automobiles homologués AEC-Q101

Les MOSFET de puissance homologués AEC-Q101 automobiles de Toshiba sont une gamme étendue de MOSFET de puissance pour couvrir diverses applications automobiles dans les systèmes de batterie de 12 V à 48 V. Toshiba fait partie du secteur automobile discret depuis les années 60, en commençant par les redresseurs puis les MOSFET automobiles à partir des années 90. Avec leurs performances et leur fiabilité, tous les produits automobiles de Toshiba vont au-delà des normes AEC-Q101.’