TGF2023-2-01

Qorvo
772-TGF2023-2-01
TGF2023-2-01

Fab. :

Description :
FET GaN DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB

Cycle de vie:
NRND:
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Fiche technique:
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Qorvo
Catégorie du produit: FET GaN
RoHS:  
Die
N-Channel
Marque: Qorvo
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: US
Gain: 18 dB
Fréquence de fonctionnement max.: 18 GHz
Fréquence de fonctionnement min.: 0 Hz
Alimentation en sortie: 6 W
Conditionnement: Gel Pack
Produit: RF JFET Transistors
Type de produit: GaN FETs
Série: TGF2023
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: GaN-on-SiC
Type de transistor: GaN HEMT
Type: GaN SiC HEMT
Raccourcis pour l'article N°: 1099624
Poids de l''unité: 739,600 mg
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5-0810-13

Fiche technique

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TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

TGF2023 GaN HEMT Transistors

Qorvo TGF2023 GaN HEMT Transistors are discrete 1.25 to 20mm Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistors (HEMT) which operate from DC-18 GHz. Each device is designed using Qorvo's proven 0.25um GaN production process. This process features advanced field plate techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions.

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

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