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TESDH5V0B03P1Q0 M3G

Name: Taiwan Semiconductor TESDH5V0B03P1Q0 M3G
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TESDH5V0B03P1Q0M
Price: 0.32 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

821-TESDH5V0B03P1Q0M

N° de fab. :

TESDH5V0B03P1Q0 M3G

Fab. :

Taiwan Semiconductor

Description :

Diodes de protection ESD / diodes TVS DFN0603-2L, 5V, 100W, 0.2pF, ESD Protection Diode & Array

Fiche technique:

TESDH5V0B03P1Q0 M3G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 10000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,327 €	0,33 €
	0,177 €	1,77 €
	0,095 €	9,50 €
	0,071 €	35,50 €
	0,057 €	57,00 €
	0,049 €	245,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 10000)
	0,037 €	370,00 €
	0,035 €	700,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Taiwan Semiconductor
Catégorie du produit:	Diodes de protection ESD / diodes TVS
RoHS:
Polarité:	Bidirectional
Nombre de canaux:	1 Channel
Tension de service:	5 V
Style du raccordement:	SMD/SMT
Blocage de la tension:	22 V
Tension de rupture:	6 V
Package/Boîte:	DFN-0603-2
Ipp - courant d'impulsion de crête:	4.5 A
Pppm - Dissipation d’énergie d’impulsion de crête:	100 W
Cd - Capacité de la diode:	0.35 pF
Vesd - Tension ESD par contact:	20 kV
Vesd - Tension ESD par décharge dans l'air:	20 kV
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Taiwan Semiconductor
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Produit:	TVS Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	10000
Sous-catégorie:	ESD Protection Diodes / TVS Diodes
Raccourcis pour l'article N°:	TESDH5V0B03P1Q0
Poids de l''unité:	0,247 mg

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Fiche technique

TESDH5V0B03P1Q0 M3G Fiche technique

Models

TESDH5V0B03P1Q0 M3G Symbol & Footprint by SnapMagic

SPICE Models

Test/Quality Data

Material Declaration (PDF)

TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Bi-directional ESD Protection Diodes

Taiwan Semiconductor Bi-directional ESD Protection Diodes are clamping cells to protect power interfaces, one control line, or one low-speed data line in an electronic system. These diodes protect sensitive electronic components connected to power and control lines from over-voltage damage by lightning and Electrostatic Discharging (ESD). The proprietary clamping cells prevent over-voltage on the control/data/power lines during transient conditions and protect any downstream components. The ESD protection diodes feature a unique design and come in an ultra-small package saving board space. These halogen-free diodes are rated with level 1 moisture sensitivity per J-STD-020 and are RoHS-compliant.