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T2G6003028-FL

Name: Qorvo T2G6003028-FL
Brand: Qorvo
SKU: 772-T2G6003028-FL
Price: 340.31 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

772-T2G6003028-FL

N° de fab. :

T2G6003028-FL

Fab. :

Qorvo

Description :

FET GaN DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged

Fiche technique:

T2G6003028-FL Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Qorvo
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Package/Boîte:	NI-200
Marque:	Qorvo
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	US
Fréquence de fonctionnement max.:	6 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	0 Hz
Sensibles à l’humidité:	Yes
Alimentation en sortie:	30 W
Conditionnement:	Tray
Type de produit:	GaN FETs
Série:	T2G6003028
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	HEMT
Raccourcis pour l'article N°:	T2G6003028 1100007
Poids de l''unité:	12,115 g

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8532331000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

T2G GaN HEMT Transistors

Qorvo T2G GaN HEMT Transistors are 15W to 30W (P3dB) discrete Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistors (HEMT) which operate from DC to 3.5GHz and 6.0GHz. These devices are constructed with Qorvo's proven TQGaN25 process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.