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SUP90220E-GE3

Name: Vishay SUP90220E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SUP90220E-GE3
Price: 2.98 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SUP90220E-GE3

N° de fab. :

SUP90220E-GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-220AB

Fiche technique:

SUP90220E-GE3 Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	200 V
Id - Courant continu de fuite:	64 A
Rds On - Résistance drain-source:	18 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	48 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	230 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Single
Temps de descente:	38 ns
Transconductance directe - min.:	37 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	35 ns
Nombre de pièces de l'usine:	500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	28 ns
Délai d'activation standard:	15 ns
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

SUP90220E-GE3 Fiche technique

Models

Technical Resources

TO-220AB

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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