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STL300N4F8

Name: STMicroelectronics STL300N4F8
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL300N4F8
Price: 2.23 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STL300N4F8

N° de fab. :

STL300N4F8

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm max, 290 STripFET F8 Power MOSFET

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Fiche technique:

STL300N4F8 Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,23 €	2,23 €
	1,44 €	14,40 €
	0,989 €	98,90 €
	0,79 €	395,00 €
	0,766 €	766,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,67 €	2.010,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Polarité du transistor:	N-Channel
Id - Courant continu de fuite:	290 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.1 mOhms
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	STripFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Type de produit:	MOSFETs
Série:	STripFET F8
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	114 mg

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Fiche technique

STL300N4F8 Fiche technique (PDF)

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AUTOMOTIVE STripFET F8 DEVICES: For high-power-density solutions (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance STripFET F8 à canal N

Les MOSFET de puissance à canal N STripFET F8 de STMicroelectronics sont conformes à AEC-Q101 et offrent une solution de boîtier complète de 30 V à 150 V pour répondre à toutes les exigences des solutions à très haute densité de puissance. Ces MOSFET basse tension intègrent une technologie STripFET F8. La technologie STRipFET F8 permet d’économiser de l’énergie et garantit un faible bruit dans les circuits de conversion d'énergie, de contrôle de moteur et de distribution d’énergie en réduisant à la fois la résistance de conduction et les pertes de commutation tout en optimisant les propriétés de la diode de corps. Les MOSFET de puissance à canal N STRipFET F8 de STMicroelectronics simplifient les conceptions de systèmes et augmentent l’efficacité dans des applications telles que l’automobile, l’informatique et les périphériques, les centres de données, les télécommunications, l’énergie solaire, les alimentations électriques et les convertisseurs, les chargeurs de batteries, les appareils domestiques/professionnels, les jeux, les drones, et bien d’autres.