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STL165N10F8AG

Name: STMicroelectronics STL165N10F8AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL165N10F8AG
Price: 2.99 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STL165N10F8AG

N° de fab. :

STL165N10F8AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET

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STL165N10F8AG Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerFLAT-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	158 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	90 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	167 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	19 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	17 ns
Série:	STripFET F8
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	60 ns
Délai d'activation standard:	22 ns

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance STripFET F8 à canal N

Les MOSFET de puissance à canal N STripFET F8 de STMicroelectronics sont conformes à AEC-Q101 et offrent une solution de boîtier complète de 30 V à 150 V pour répondre à toutes les exigences des solutions à très haute densité de puissance. Ces MOSFET basse tension intègrent une technologie STripFET F8. La technologie STRipFET F8 permet d’économiser de l’énergie et garantit un faible bruit dans les circuits de conversion d'énergie, de contrôle de moteur et de distribution d’énergie en réduisant à la fois la résistance de conduction et les pertes de commutation tout en optimisant les propriétés de la diode de corps. Les MOSFET de puissance à canal N STRipFET F8 de STMicroelectronics simplifient les conceptions de systèmes et augmentent l’efficacité dans des applications telles que l’automobile, l’informatique et les périphériques, les centres de données, les télécommunications, l’énergie solaire, les alimentations électriques et les convertisseurs, les chargeurs de batteries, les appareils domestiques/professionnels, les jeux, les drones, et bien d’autres.