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STGP30H60DFB

Name: STMicroelectronics STGP30H60DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP30H60DFB
Price: 2.47 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STGP30H60DFB

N° de fab. :

STGP30H60DFB

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

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Fiche technique:

STGP30H60DFB Fiche technique (PDF)

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,47 €	2,47 €
	1,22 €	12,20 €
	1,10 €	110,00 €
	0,894 €	447,00 €
	0,819 €	819,00 €
	0,778 €	1.556,00 €
	0,77 €	3.850,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-220-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	600 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.55 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	60 A
Pd - Dissipation d’énergie :	260 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	STGP30H60DFB
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.:	60 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	+/- 250 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HB Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics HB Trench Gate Field-Stop IGBTs use an advanced proprietary trench gate and field stop structure. These HB devices represent a compromise of conduction and switching losses to maximize frequency converter efficiency. A slightly positive V_CE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.