Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

STGP10M65DF2

Name: STMicroelectronics STGP10M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP10M65DF2
Price: 1.7 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-STGP10M65DF2

N° de fab. :

STGP10M65DF2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

Complétez votre conception

Fiche technique:

STGP10M65DF2 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de STMicroelectronics STGP10M65DF2

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Série:	STGP10M65DF2
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	2 g

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

STGP10M65DF2 Fiche technique (PDF)

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

PRODUITS PRÉSENTÉS

STMICROELECTRONICS

IGBT série IH2 1 600 V STGWA30IH160DF2

Créé en mettant en œuvre une structure avancée propriétaire à grille de tranchée et champ d'arrêt.

IGBT STGSH50M120D ACEPACK SMIT avec diode

Il combine deux IGBTs et des diodes dans une topologie demi-pont.

IGBT de qualité automobile STGHU30M65DF2AG

Développé à l'aide d'une structure avancée à arrêt de champ à grille en tranchée.

IGBT de qualité automobile STGWA30M65DF2AG

Conçu à l'aide d'une structure propriétaire avancée d'arrêt de champ à grille en tranchée.

IGBT de série MS de classe automobile GWA40MS120DF4AG

Les modèles de 1 200 V, 40 A, à faibles pertes, offrent une faible résistance thermique et sont fournis dans un boîtier TO-247 à broches longues.

Disponibilité

Stock:: 0

Vous pouvez toujours acheter ce produit pour une commande de réassortiment.

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Sur commande:: 2.000

04/09/2026 attendu

2.000

18/09/2026 attendu
Délai usine :: 20

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,70 €	1,70 €
	1,08 €	10,80 €
	0,73 €	73,00 €
	0,578 €	289,00 €
	0,529 €	529,00 €
	0,488 €	976,00 €
	0,476 €	1.904,00 €

STGP10M65DF2

Fab. : STMicroelectronics

Description : IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss Complétez votre conception

Caractéristiques

Documents (9)

Fiche technique

PCN

Documents environnementaux

Produit et conformité commerciale

Plus d'informations

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

Nos clients ont également acheté

PRODUITS PRÉSENTÉS STMICROELECTRONICS

Disponibilité

Prix (EUR)

Aperçu rapide

Une erreur inattendue est survenue.

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

Complétez votre conception

PRODUITS PRÉSENTÉS

STMICROELECTRONICS