Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

STF80N240K6

Name: STMicroelectronics STF80N240K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF80N240K6
Price: 5.1 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-STF80N240K6

N° de fab. :

STF80N240K6

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET

Complétez votre conception

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

STF80N240K6 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de STMicroelectronics STF80N240K6

En stock: 23

Stock:: 23

Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Sur commande:: 1.000

17/02/2026 attendu
Délai usine :: 13

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	5,10 €	5,10 €
	3,85 €	38,50 €
	3,11 €	311,00 €
	2,77 €	1.385,00 €
	2,37 €	2.370,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220FP-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	800 V
Id - Courant continu de fuite:	16 A
Rds On - Résistance drain-source:	220 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	25.9 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	27 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	12 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5.3 ns
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	47.8 ns
Délai d'activation standard:	16 ns

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

STF80N240K6 Fiche technique (PDF)

PCN

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance MDmesh K6 à canal N

Les MOSFET de puissance à canal N MDmesh K6 de STMicroelectronics sont protégés par Zener et 100 % testés en avalanche. Ces MOSFET de puissance se caractérisent par une tension de rupture drain-source de 800 V minimum, une tension grille-source de ±30 V et une plage de température de fonctionnement de jonction de -55 °C à 150 °C. Les MOSFET de puissance MDmesh K6 se caractérisent également par une pente de tension de récupération de diode de 5 V/ns crête, une pente de courant de récupération de diode de 100 µA/s crête et une robustesse dv/dt de MOSFET de 120 V/ns. Les applications typiques incluent les ordinateurs portables et tout-en-un (AIO), les convertisseurs Flyback, les adaptateurs pour tablettes et les éclairages LED.