SSM6K819R,LXHF MOSFET

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Conditionnement
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F 9.284En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT TSOP6F N-Channel 1 Channel 100 V 10 A 20.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.5 nC + 175 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N/A
Toshiba MOSFET N/A