SQJ443AEP-T1_GE3 MOSFET

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Vishay / Siliconix MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Fiche technique
2.173En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 8.1 mOhms - 10 V, 10 V 2 V 38 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay MOSFET PPAKSO8 P-CH 30V 40A
Fiche technique
N/A

Si
Vishay MOSFET
Fiche technique
N/A