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SQJ409EP-T2_GE3

Name: Vishay SQJ409EP-T2_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJ409EP-T2_GE3
Price: 1.93 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

78-SQJ409EP-T2_GE3

N° de fab. :

SQJ409EP-T2_GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Fiche technique:

SQJ409EP-T2_GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,93 €	1,93 €
	1,22 €	12,20 €
	0,813 €	81,30 €
	0,667 €	333,50 €
	0,657 €	657,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,558 €	1.674,00 €
	0,53 €	3.180,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	60 A
Rds On - Résistance drain-source:	7 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	170 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	68 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay / Siliconix
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Type de produit:	MOSFETs
Série:	SQJ
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

SQJ409EP-T2_GE3 Fiche technique

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET TrenchFET®

Les MOFSET TrenchFET^® de Vishay / Siliconix sont dotés d'une technologie silicium à canaux P et N permettant à ces composants de fournir d'excellentes spécifications de résistance à l'état passant de 1,9 mΩ dans le PowerPAK^® SO-8. Ces MOSFET ont une résistance à l'état passant pouvant descendre à la moitié du niveau des nouveaux meilleurs dispositifs sur le marché. Les MOSFET à canal N offrent une plage de tension de rupture drain-source de 40 V à 250 V, une dissipation d'énergie nominale de 375 W et une puissance ThunderFET en fonction du modèle. Les MOSFET à canal P disposent de jusqu'à 2 canaux, d'un montage CMS et traversant et d'une plage de tension de rupture drain-source de 12 V à 200 V.

MOSFET automobiles SQJ

Les MOSFET^®automobiles SQJ Vishay/Siliconix sont des MOSFET de puissance 40 V_DS à canal N TrenchFET Gen IV. Ces MOSFET homologués AEC-Q101 sont testés à 100% R_g et commutation inductive non limitée (UIS) avec un rapport Q_gd/Q_gs de moins de 1 qui optimise les caractéristiques de commutation. Les MOSFET automobiles SQJ offrent une très faible R_DS(on) et fonctionnent dans une plage de température comprise entre -55°C et 175°C.Ces MOSFET de classe automobile sont disponibles en boîtier PowerPAK^® SO-8L avec des configurations simples/doubles. Les applications standard incluent l'automobile, la gestion des moteurs, les entraînements et actionneurs de moteurs et la gestion des batteries.