SQJ185ELP-T1_GE3 MOSFET

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Vishay / Siliconix MOSFET P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Fiche technique
6.876En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 P-Channel 1 Channel 80 V 62 A 19.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 46 nC - 55 C + 175 C 145 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay MOSFET
Fiche technique
N/A
Si