SQJ131ELP-T1_GE3 MOSFET

Résultats: 2
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Vishay / Siliconix MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Fiche technique
239En stock
3.00027/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT SO-8L-4 P-Channel 1 Channel 30 V 300 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 207 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement TrenchFET
Vishay MOSFET
Fiche technique
N/A
Si