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SP8M4HZGTB

Name: ROHM Semiconductor SP8M4HZGTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SP8M4HZGTB
Price: 2.72 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-SP8M4HZGTB

N° de fab. :

SP8M4HZGTB

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET AECQ

Fiche technique:

SP8M4HZGTB Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,72 €	2,72 €
	1,77 €	17,70 €
	1,23 €	123,00 €
	1,04 €	520,00 €
	0,955 €	955,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,88 €	2.200,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOP-8
Polarité du transistor:	N-Channel, P-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	9 A, 7 A
Rds On - Résistance drain-source:	18 mOhms, 28 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V, 2.5 V
Qg - Charge de grille:	15 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Temps de descente:	22 ns, 70 ns
Transconductance directe - min.:	6 S, 7 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	15 ns, 50 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Délai de désactivation type:	55 ns, 110 ns
Délai d'activation standard:	10 ns, 20 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SP8M4HZG

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Attributs sélectionnés: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

Filtrer les documents:

Fiche technique

SP8M4HZGTB Fiche technique (PDF)

Specification Sheets

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance SP8M

Les MOSFET de puissance SP8M de ROHM Semiconductor sont des composants à faible résistance à l'état passant logés dans un petit boîtier à montage en surface (SOP8). Le SP8M dispose d'un placage sans plomb et est conforme à la directive RoHS. Les MOSFET sont également sans halogènes, ont un placage 100 % étain et sont homologués AEC-Q101.