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SMUN5213DW1T1G

Name: onsemi SMUN5213DW1T1G
Brand: onsemi
SKU: 863-SMUN5213DW1T1G
Price: 0.23 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-SMUN5213DW1T1G

N° de fab. :

SMUN5213DW1T1G

Fab. :

onsemi

Description :

Transistors numériques SS BR XSTR NPN 50V

Fiche technique:

SMUN5213DW1T1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,232 €	0,23 €
	0,142 €	1,42 €
	0,088 €	8,80 €
	0,065 €	32,50 €
	0,058 €	58,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,047 €	141,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Transistors numériques
RoHS:
Configuration:	Dual
Polarité du transistor:	NPN
Résistance d'entrée type:	47 kOhms
Taux de résistance type:	1
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-363-6
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	80
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	50 V
Courant de collecteur continu :	100 mA
Pd - Dissipation d’énergie :	250 mW
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	MUN5213DW1
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Plage de températures de fonctionnement:	- 55 C to + 150 C
Type de produit:	Digital Transistors
Qualification:	AEC-Q100
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	6,200 mg

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Fiche technique

SMUN5213DW1T1G Fiche technique

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Transistors numériques bipolaires NPN doubles

Les doubles transistors numériques bipolaires NPN onsemi sont conçus pour remplacer un seul dispositif et le réseau externe supplémentaire de polarisation de résistance. Le transistor de résistance de polarisation (BRT) contient un seul transistor à réseau de polarisation monolithique constitué de deux résistances (une résistance de base en série et une résistance base-émetteur). En intégrant ces composants individuels en un seul dispositif, le BRT de ces transistors numériques bipolaires NPN onsemi simplifie la conception de circuits et les élimine. Une BRT réduit également le coût de système et l’espace sur carte.