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SIZ340DT-T1-GE3

Name: Vishay SIZ340DT-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIZ340DT-T1-GE3
Price: 1.24 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SIZ340DT-T1-GE3

N° de fab. :

SIZ340DT-T1-GE3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

Fiche technique:

SIZ340DT-T1-GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

Tarif est.:

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,24 €	1,24 €
	0,78 €	7,80 €
	0,519 €	51,90 €
	0,406 €	203,00 €
	0,37 €	370,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,327 €	981,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAIR-3x3-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	30 A, 40 A
Rds On - Résistance drain-source:	9.5 mOhms, 5.1 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 16 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	19 nC, 35 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	16.7 W, 31 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Temps de descente:	7 ns, 7 ns
Transconductance directe - min.:	37 S, 60 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	55 ns, 82 ns
Série:	SIZ
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	16 ns, 20 ns
Délai d'activation standard:	13 ns, 22 ns
Poids de l''unité:	143,050 mg

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Fiche technique

SIZ340DT-T1-GE3 Fiche technique

Models

PCN

Product Change Notification 2024-01-09 (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Dual N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs

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PowerPAIR® Dual-MOSFETs

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Les solutions MOSFET intégrées de Vishay combinent les composants dans une seule puce monolithique pour augmenter la densité de puissance, augmenter le rendement, simplifier la conception et réduire les coûts de nomenclature (BoM). Ces MOSFET à puce simple et multiple intègrent des caractéristiques telles que des diodes à barrière de Schottky et une protection DES. Ces MOSFET disposent de technologies TrenchFET^® à canal N et P à faible résistance à l'état passant et d'une faible résistance thermique.