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SIR692DP-T1-RE3

Name: Vishay SIR692DP-T1-RE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIR692DP-T1-RE3
Price: 2.17 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

78-SIR692DP-T1-RE3

N° de fab. :

SIR692DP-T1-RE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Fiche technique:

SIR692DP-T1-RE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	1,40 €	14,00 €
	0,955 €	95,50 €
	0,765 €	382,50 €
	0,749 €	749,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,749 €	2.247,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK-SO-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	250 V
Id - Courant continu de fuite:	24.2 A
Rds On - Résistance drain-source:	52 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	40 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	104 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET, PowerPAK
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Single
Temps de descente:	32 ns
Transconductance directe - min.:	26 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	62 ns
Série:	SIR
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	14 ns
Délai d'activation standard:	13 ns
Poids de l''unité:	506,600 mg

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Fiche technique

SIR692DP-T1-RE3 Fiche technique

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance ThunderFET®

Les MOSFET de puissance Vishay Siliconix ThunderFET® offrent les valeurs les plus basses de résistances sous tension de l'industrie pour des MOSFET de 100 V avec une valeur de 4,5 V. En plus de la résistance sous tension et de la charge de grille, les produits offrent la meilleure valeur clé de mérite (FOM) pour les MOSFET des convertisseurs CC-CC dans leur catégorie. Pour les concepteurs, la résistance sous tension plus faible donne des pertes de conduction inférieures et une consommation d'énergie réduite pour des solutions vertes économes en énergie. Ces dispositifs sont optimisés pour la commutation côté primaire et le redressement synchrone côté secondaire des conceptions d'alimentations CC/CC isolées pour les applications des convertisseurs briques et bus de télécommunication. La valeur 4,5 V de la résistance sous tension des MOSFET permet d'envisager une grande variété de CI MLI et de commande de grille.
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ThunderFET® 150V to 250V MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® 150V to 250V MOSFETs feature V_DS voltages of 150V, 200V, and 250V in N-Channel polarity types. Package types include the TO-252, PowerPAK SO-8, TO-263, and TO-220AB. The PowerPAK SO-8 packages achieve the best R_ds, Q_g, and Qoss by minimizing the package resistance and parasitic inductance. The SIR692DP 250V figure-of-merit (FOM) is 42% lower than prior generations. Applications for Vishay / Siliconix ThunderFET 150V to 250V MOSFETs include synchronous rectification, DC/DC converters, DC/AC inverters, and power supplies.

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.