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SIJH5100E-T1-GE3

Name: Vishay SIJH5100E-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIJH5100E-T1-GE3
Price: 5.32 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SIJH5100E-T1-GE3

N° de fab. :

SIJH5100E-T1-GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET PWRPK 100V N-CH MOSFET

Fiche technique:

SIJH5100E-T1-GE3 Fiche technique

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	3,63 €	36,30 €
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	2,61 €	1.305,00 €
	2,54 €	2.540,00 €
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	2,39 €	4.780,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	277 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.89 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	85 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	333 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	21 ns
Transconductance directe - min.:	120 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	17 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	41 ns
Délai d'activation standard:	24 ns

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Fiche technique

SIJH5100E-T1-GE3 Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET Gen V TrenchFET® à canal N SiSS52DN et SiSS54DN

Le MOSFET de puissance Gen V TrenchFET à canal N SiSS52DN et SiSS54DN Vishay/Siliconix permet une densité de puissance plus élevée avec une R_{DS (on) très faible.} Ce MOSFET de puissance offre un V_DS de 30 V et un très faible facteur de mérite (FOM) RDS x Q_g. Le MOSFET à canal N SiSS52DN présente généralement un I_D de 162 A et un Q_{g de 19,9 nC.}Alors que le MOSFET à canal N SiSS54DN présente généralement un I_D de 185,6 A et un Q_{g de 21 nC}.Ce MOSFET testé à commutation inductive non serrée (UIS) R_g 100 % est fourni dans un boîtier PowerPAK^® 1212-8S compact amélioré thermiquement avec une configuration unique. Les applications standard incluent les convertisseurs CC/CC, les points de charge (POL), le redressement synchrone, les commutateurs d’alimentation et de charge et la gestion de batterie.