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SIA413DJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA413DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA413DJ-T1-GE3
Price: 1.47 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

781-SIA413DJ-T1-GE3

N° de fab. :

SIA413DJ-T1-GE3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET 12V 12A 19W 29mohm @ 4.5V

Fiche technique:

SIA413DJ-T1-GE3 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,47 €	1,47 €
	0,92 €	9,20 €
	0,595 €	59,50 €
	0,514 €	257,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,437 €	1.311,00 €
	0,333 €	7.992,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SC-70-6
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	12 A
Rds On - Résistance drain-source:	150 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	38 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	19 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Type de produit:	MOSFETs
Série:	SIA
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	SIA413DJ-GE3

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Fiche technique

SIA413DJ-T1-GE3 Fiche technique (PDF)

PCN

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

PowerPAK SC-70 MOSFETs

Vishay Semiconductors PowerPAK® SC-70 MOSFET combines the tiny footprint of the SC-70 package with on-resistance comparable to the larger TSOP-6, resulting in very low power consumption in a package 50% smaller than the TSOP-6 and 27% thinner. The Vishay Semiconductor PowerPAK SC-70 MOSFET comes in a variety of configurations and voltage ratings for different applications, including single, single plus Schottky, and dual devices, in both n-channel and p-channel, in addition to n- and p-channel complementary pairs. The PowerPAK SC-70 MOSFET features voltage ranges between 8V and 30V with extremely low on-resistance values down to 0.011Ω at 4.5V.