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SI8902AEDB-T2-E1

Name: Vishay SI8902AEDB-T2-E1
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI8902AEDB-T2-E1
Price: 0.33 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

78-SI8902AEDB-T2-E1

N° de fab. :

SI8902AEDB-T2-E1

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6

Fiche technique:

SI8902AEDB-T2-E1 Fiche technique

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Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	MicroFoot-6
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	24 V
Id - Courant continu de fuite:	11 A
Rds On - Résistance drain-source:	28 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	400 mV
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	5.7 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Temps de descente:	12 us
Transconductance directe - min.:	15 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	3.5 us
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	25 us
Délai d'activation standard:	1.5 us
Poids de l''unité:	128,380 mg

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Fiche technique

SI8902AEDB-T2-E1 Fiche technique

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.

Solutions MOSFET intégrées

Les solutions MOSFET intégrées de Vishay combinent les composants dans une seule puce monolithique pour augmenter la densité de puissance, augmenter le rendement, simplifier la conception et réduire les coûts de nomenclature (BoM). Ces MOSFET à puce simple et multiple intègrent des caractéristiques telles que des diodes à barrière de Schottky et une protection DES. Ces MOSFET disposent de technologies TrenchFET^® à canal N et P à faible résistance à l'état passant et d'une faible résistance thermique.