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SI8823EDB-T2-E1

Name: Vishay SI8823EDB-T2-E1
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI8823EDB-T2-E1
Price: 0.46 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SI8823EDB-T2-E1

N° de fab. :

SI8823EDB-T2-E1

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT

Fiche technique:

SI8823EDB-T2-E1 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,464 €	0,46 €
	0,291 €	2,91 €
	0,187 €	18,70 €
	0,14 €	70,00 €
	0,126 €	126,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,102 €	306,00 €
	0,095 €	570,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	MicroFoot-4
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	2.7 A
Rds On - Résistance drain-source:	77 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	800 mV
Qg - Charge de grille:	17 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	900 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	US
Temps de descente:	40 ns
Transconductance directe - min.:	6 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	30 ns
Série:	SI8
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	60 ns
Délai d'activation standard:	16 ns
Poids de l''unité:	45,104 mg

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Fiche technique

SI8823EDB-T2-E1 Fiche technique

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Siliconix Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs feature the industry's first n- and p-channel power MOSFET in the industry's smallest 0.8 mm by 0.8 mm chip-scale package, in addition to the first n- and p-channel devices to offer on-resistance (R_DS(on)) ratings down to 1.2 V in this package size. The Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs come in the MICRO FOOT® package that occupies up to 36 % less board space than the next smallest chip-scale devices, yet offer comparable − and even lower − on-resistance (R_DS(on)).

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (R_DS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.