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SI8819EDB-T2-E1

Name: Vishay SI8819EDB-T2-E1
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI8819EDB-T2-E1
Price: 0.49 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SI8819EDB-T2-E1

N° de fab. :

SI8819EDB-T2-E1

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

Fiche technique:

SI8819EDB-T2-E1 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	0,303 €	3,03 €
	0,198 €	19,80 €
	0,146 €	73,00 €
	0,13 €	130,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,108 €	324,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	MicroFoot-4
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	12 V
Id - Courant continu de fuite:	2.9 A
Rds On - Résistance drain-source:	80 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	900 mV
Qg - Charge de grille:	7 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	900 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Vishay Semiconductors
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	US
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	45,104 mg

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Fiche technique

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (R_DS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.