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SI8817DB-T2-E1

Name: Vishay SI8817DB-T2-E1
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI8817DB-T2-E1
Price: 0.62 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SI8817DB-T2-E1

N° de fab. :

SI8817DB-T2-E1

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

Fiche technique:

SI8817DB-T2-E1 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,628 €	0,63 €
	0,379 €	3,79 €
	0,249 €	24,90 €
	0,19 €	95,00 €
	0,168 €	168,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,134 €	402,00 €
	0,131 €	786,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	MicroFoot-4
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	2.9 A
Rds On - Résistance drain-source:	61 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	19 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	900 mW
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Temps de descente:	22 ns
Transconductance directe - min.:	5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	20 ns
Série:	SI8
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	52 ns
Délai d'activation standard:	20 ns
Poids de l''unité:	45,104 mg

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Fiche technique

SI8817DB-T2-E1 Fiche technique

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (R_DS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.

MOSFET TrenchFET®

Les MOFSET TrenchFET^® de Vishay / Siliconix sont dotés d'une technologie silicium à canaux P et N permettant à ces composants de fournir d'excellentes spécifications de résistance à l'état passant de 1,9 mΩ dans le PowerPAK^® SO-8. Ces MOSFET ont une résistance à l'état passant pouvant descendre à la moitié du niveau des nouveaux meilleurs dispositifs sur le marché. Les MOSFET à canal N offrent une plage de tension de rupture drain-source de 40 V à 250 V, une dissipation d'énergie nominale de 375 W et une puissance ThunderFET en fonction du modèle. Les MOSFET à canal P disposent de jusqu'à 2 canaux, d'un montage CMS et traversant et d'une plage de tension de rupture drain-source de 12 V à 200 V.