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SI7370ADP-T1-GE3

Name: Vishay SI7370ADP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 781-SI7370ADP-GE3
Price: 0.86 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

781-SI7370ADP-GE3

N° de fab. :

SI7370ADP-T1-GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET 60V 15.8A 5.2W 10mohm @ 10V

Fiche technique:

SI7370ADP-T1-GE3 Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK-1212-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	50 A
Rds On - Résistance drain-source:	57 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	8.4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	69.4 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Marque:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	SG
Temps de descente:	20 ns
Transconductance directe - min.:	12 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	9 ns
Série:	SI7
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N Channel
Délai de désactivation type:	40 ns
Délai d'activation standard:	20 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SI7370ADP-GE3
Poids de l''unité:	540 mg

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Fiche technique

SI7370ADP-T1-GE3 Fiche technique (PDF)

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance TrenchFET® SI73

Les MOSFET de puissance TrenchFET^® SI73 de Vishay Semiconductors sont disponibles en nouveau boîtier PowerPAK^® à faible résistance thermique avec un profil 1,07 mm. Les MOSFET de puissance TrenchFET^® sont testés 100 % R_g/UIS et sans halogène. Ces MOSFET de puissance SI73 sont idéalement utilisés dans les convertisseurs CC-CC.