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SI7309DN-T1-E3

Name: Vishay SI7309DN-T1-E3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI7309DN-T1-E3
Price: 1.5 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

781-SI7309DN-T1-E3

N° de fab. :

SI7309DN-T1-E3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

Fiche technique:

SI7309DN-T1-E3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,50 €	1,50 €
	0,946 €	9,46 €
	0,618 €	61,80 €
	0,604 €	302,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,513 €	1.539,00 €
	0,501 €	3.006,00 €
	0,493 €	4.437,00 €
	0,369 €	8.856,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK-1212-8
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	8 A
Rds On - Résistance drain-source:	146 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	14.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	19.8 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	35 ns
Transconductance directe - min.:	10 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	15 ns
Série:	SI7
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P Channel
Délai de désactivation type:	30 ns
Délai d'activation standard:	25 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SI7309DN-E3
Poids de l''unité:	1 g

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Fiche technique

SI7309DN-T1-E3 Fiche technique

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance TrenchFET® SI73

Les MOSFET de puissance TrenchFET^® SI73 de Vishay Semiconductors sont disponibles en nouveau boîtier PowerPAK^® à faible résistance thermique avec un profil 1,07 mm. Les MOSFET de puissance TrenchFET^® sont testés 100 % R_g/UIS et sans halogène. Ces MOSFET de puissance SI73 sont idéalement utilisés dans les convertisseurs CC-CC.