Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

SH8KE7TB1

Name: ROHM Semiconductor SH8KE7TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SH8KE7TB1
Price: 2.23 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

755-SH8KE7TB1

N° de fab. :

SH8KE7TB1

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET 100V 8A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET

Fiche technique:

SH8KE7TB1 Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de ROHM Semiconductor SH8KE7TB1

En stock: 4.733

Stock:: 4.733 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 18 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,23 €	2,23 €
	1,53 €	15,30 €
	1,08 €	108,00 €
	0,886 €	443,00 €
	0,849 €	849,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,777 €	1.942,50 €
	0,753 €	3.765,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOP-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	8 A
Rds On - Résistance drain-source:	20.9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	19.8 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Temps de descente:	18 ns
Transconductance directe - min.:	7.1 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	22 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	44 ns
Délai d'activation standard:	15 ns

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

SH8KE7TB1 Fiche technique

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance à double canal N et canal N SH8K

Les MOSFET de puissance à double canal N et canal N SH8K de ROHM Semiconductor disposent de deux MOSFET de 40 V ou 60 V dans un petit boîtier SOP8 CMS avec huit bornes. La série SH8K offre une faible résistance à l’état passant et une R_{DS (on)} maximale de 8,4 mΩ, 12,4 mΩ ou 19,4 mΩ. Les autres caractéristiques sont une dissipation d'énergie de 2 W et un ID de courant de drain de ±8,5 A, ±10,5 A ou ±13,5 A. Ces MOSFET conformes RoHS sont sans halogènes et utilisent un placage sans plomb. Les MOSFET de puissance à double canal N et canal N SH8K de ROHM Semiconductor sont idéaux pour les applications de commutation.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.