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SH8KE6TB1

Name: ROHM Semiconductor SH8KE6TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SH8KE6TB1
Price: 2.06 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-SH8KE6TB1

N° de fab. :

SH8KE6TB1

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET SOP8 100V 4.5A N-CH MOSFET

Fiche technique:

SH8KE6TB1 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,06 €	2,06 €
	1,32 €	13,20 €
	0,903 €	90,30 €
	0,722 €	361,00 €
	0,687 €	687,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,66 €	1.650,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOP-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	4.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	58 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	6.7 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	7 ns
Transconductance directe - min.:	3.8 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8.5 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	20 ns
Délai d'activation standard:	7.5 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SH8KE6

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Attributs sélectionnés: 0

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance à double canal N et canal N SH8K

Les MOSFET de puissance à double canal N et canal N SH8K de ROHM Semiconductor disposent de deux MOSFET de 40 V ou 60 V dans un petit boîtier SOP8 CMS avec huit bornes. La série SH8K offre une faible résistance à l’état passant et une R_{DS (on)} maximale de 8,4 mΩ, 12,4 mΩ ou 19,4 mΩ. Les autres caractéristiques sont une dissipation d'énergie de 2 W et un ID de courant de drain de ±8,5 A, ±10,5 A ou ±13,5 A. Ces MOSFET conformes RoHS sont sans halogènes et utilisent un placage sans plomb. Les MOSFET de puissance à double canal N et canal N SH8K de ROHM Semiconductor sont idéaux pour les applications de commutation.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.