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SH8KB7TB1

Name: ROHM Semiconductor SH8KB7TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SH8KB7TB1
Price: 1.92 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-SH8KB7TB1

N° de fab. :

SH8KB7TB1

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET SOP8 2NCH 40V 13.5A

Fiche technique:

SH8KB7TB1 Fiche technique

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,92 €	1,92 €
	1,23 €	12,30 €
	0,834 €	83,40 €
	0,666 €	333,00 €
	0,629 €	629,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,545 €	1.362,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOP-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	13.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	8.4 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	27 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Temps de descente:	18 ns
Transconductance directe - min.:	13 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	16 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	47 ns
Délai d'activation standard:	18 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SH8KB7

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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