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SH8KA4TB1

Name: ROHM Semiconductor SH8KA4TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SH8KA4TB1
Price: 1.14 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-SH8KA4TB1

N° de fab. :

SH8KA4TB1

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET 30V Nch+Nch Power MOSFET

Fiche technique:

SH8KA4TB1 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,14 €	1,14 €
	0,704 €	7,04 €
	0,466 €	46,60 €
	0,419 €	209,50 €
	0,394 €	394,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,383 €	957,50 €
	0,359 €	1.795,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOP-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	9 A
Rds On - Résistance drain-source:	21.4 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	15.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	3 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Temps de descente:	7 ns
Transconductance directe - min.:	4.6 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	19 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	33 ns
Délai d'activation standard:	8 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SH8KA4

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance à double canal N et canal N SH8K

Les MOSFET de puissance à double canal N et canal N SH8K de ROHM Semiconductor disposent de deux MOSFET de 40 V ou 60 V dans un petit boîtier SOP8 CMS avec huit bornes. La série SH8K offre une faible résistance à l’état passant et une R_{DS (on)} maximale de 8,4 mΩ, 12,4 mΩ ou 19,4 mΩ. Les autres caractéristiques sont une dissipation d'énergie de 2 W et un ID de courant de drain de ±8,5 A, ±10,5 A ou ±13,5 A. Ces MOSFET conformes RoHS sont sans halogènes et utilisent un placage sans plomb. Les MOSFET de puissance à double canal N et canal N SH8K de ROHM Semiconductor sont idéaux pour les applications de commutation.