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SH8JC5TB1

Name: ROHM Semiconductor SH8JC5TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SH8JC5TB1
Price: 2.64 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-SH8JC5TB1

N° de fab. :

SH8JC5TB1

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET -60V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET

Fiche technique:

SH8JC5TB1 Fiche technique

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,64 €	2,64 €
	1,71 €	17,10 €
	1,19 €	119,00 €
	0,998 €	499,00 €
	0,912 €	912,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,844 €	2.110,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOP-8
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	7.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	32 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	50 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Temps de descente:	74 ns
Transconductance directe - min.:	11 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	30 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 P-Channel
Délai de désactivation type:	130 ns
Délai d'activation standard:	14 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SH8JC5
Poids de l''unité:	83 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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