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SGT65R65AL

Name: STMicroelectronics SGT65R65AL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT65R65AL
Price: 8.37 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-SGT65R65AL

N° de fab. :

SGT65R65AL

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

FET GaN 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

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Fiche technique:

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-,-- €

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-,-- €

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	8,37 €	8,37 €
	5,79 €	57,90 €
	4,71 €	471,00 €
	4,68 €	2.340,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	4,06 €	12.180,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerFLAT-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	25 A
Rds On - Résistance drain-source:	65 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	+ 6 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.8 V
Qg - Charge de grille:	5.4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	305 W
Marque:	STMicroelectronics
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Type de produit:	GaN FETs
Série:	SGT
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN-on-Si
Type de transistor:	E-Mode
Type:	RF Power MOSFET
Poids de l''unité:	76 mg

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Application Notes

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistors PowerGaN en mode E SGT65R65AL

Les transistors PowerGaN en mode E SGT65R65AL de STMicroelectronics sont des transistors 650 V et 25 A combinés à une technologie de boîtier bien établie. Le SGT65R65AL de STMicroelectronics dispose d'un composant G-HEMT résultant qui présente des pertes de conduction extrêmement faibles, une capacité de courant élevé et un fonctionnement de commutation ultra-rapide. Le composant permet une densité de puissance élevée et des performances d'efficacité imbattables.

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.