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SCT020W120G3-4AG

Name: STMicroelectronics SCT020W120G3-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT020W120G3-4AG
Price: 16.25 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-SCT020W120G3-4AG

N° de fab. :

SCT020W120G3-4AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	Hip247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	100 A
Rds On - Résistance drain-source:	28 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	121 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 200 C
Pd - Dissipation d’énergie :	541 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	22 ns
Conditionnement:	Tube
Produit:	SiC MOSFETS
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	9 ns
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	47 ns
Délai d'activation standard:	21 ns

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ECCN:: EAR99

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