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SCT012W90G3-4AG

Name: STMicroelectronics SCT012W90G3-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT012W90G3-4AG
Price: 17.85 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-SCT012W90G3-4AG

N° de fab. :

SCT012W90G3-4AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

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SCT012W90G3-4AG Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	HiP247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	900 V
Id - Courant continu de fuite:	110 A
Rds On - Résistance drain-source:	15.8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.1 V
Qg - Charge de grille:	138 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 200 C
Pd - Dissipation d’énergie :	625 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	16 ns
Conditionnement:	Tube
Produit:	SiC MOSFETS
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	43 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	41 ns
Délai d'activation standard:	20 ns

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Fiche technique

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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance au carbure de silicium de classe automobile

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium de classe automobile STMicroelectronics ont été développés développés à l’aide de la technologie de pointe et innovante SiC MOSFET de 2e/3e génération de S . Les composants sont dotés d’une faible résistance par unité de surface à l’état passant et de très bonnes performances de commutatio . Les MOSFET peuvent fonctionner à des températures très élevées (TJ = 200°C) et comportent une diode de structure interne très rapide et robuste.