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SCS208AGC17

Name: ROHM Semiconductor SCS208AGC17
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCS208AGC17
Price: 2.49 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-SCS208AGC17

N° de fab. :

SCS208AGC17

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

Diodes Schottky SiC SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 8A, 2nd Gen

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

SCS208AGC17 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220ACG-2
Configuration:	Single
If - Courant direct:	8 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	650 V
Vf - Tension directe:	1.55 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	30 A
Ir - Courant inverse:	160 uA
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Tube
Marque:	ROHM Semiconductor
Pd - Dissipation d’énergie :	68 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tension inverse:	650 V
Raccourcis pour l'article N°:	SCS208AG

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Fiche technique

SCS208AGC17 Fiche technique (PDF)

Specification Sheets

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TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

Diodes à barrière de Schottky SiC TO-220ACG

Les diodes à barrière de Schottky (SBD) au carbure de silicium (SiC) TO-220ACG de ROHM Semiconductor disposent d'une plage de tension inverse de 650 V à 1 200 V et d'une plage de courant inverse continu de 1,2 µA à 20,0 µA. La technologie SiC permet à ces composants de maintenir une faible charge capacitive (Q_C), réduisant la perte de commutation tout en permettant un fonctionnement de commutation à haute vitesse. De plus, contrairement aux diodes à récupération rapide basées sur Si, où le temps de récupération inverse augmente avec la température, les dispositifs SiC maintiennent des caractéristiques constantes, ce qui aboutit à de meilleures performances.