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SBC846BPDW1T3G

Name: onsemi SBC846BPDW1T3G
Brand: onsemi
SKU: 863-SBC846BPDW1T3G
Price: 0.3 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-SBC846BPDW1T3G

N° de fab. :

SBC846BPDW1T3G

Fab. :

onsemi

Description :

Transistors bipolaires - BJT NPN PNP Bipolar Transistor

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

SBC846BPDW1T3G Fiche technique

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	0,059 €	59,00 €
	0,052 €	130,00 €
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	0,039 €	390,00 €
	0,035 €	700,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-363-6
Polarité du transistor:	NPN, PNP
Configuration:	Dual
Courant CC max. du collecteur:	100 mA
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	65 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	80 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	6 V
Pd - Dissipation d’énergie :	380 mW
Produit gain-bande passante fT :	100 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	BC846BPDW1
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Courant de collecteur continu :	100 mA, - 100 mA
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	200
Gain de courant CC hFE max.:	800
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	10000
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

SBC846BPDW1T3G Fiche technique

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Transistors bipolaires BC846BPDW1

Les transistors bipolaires BC846BPDW1 d'onsemi sont des transistors doubles à usage général conçus pour les applications à montage en surface à faible puissance. Ces transistors NPN/PNP sont logés dans le boîtier SOT-363/SC-88. Les transistors bipolaires BC846BPDW1 sont homologués AEC-Q101, compatibles PPAP et disponibles en boîtier sans plomb. Ces transistors PNP NPN sont sans halogène/sans BFR et sont conformes à la directive RoHS. Les transistors bipolaires sont idéaux pour les applications à montage en surface à faible puissance.