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SBC846BPDW1T1G

Name: onsemi SBC846BPDW1T1G
Brand: onsemi
SKU: 863-SBC846BPDW1T1G
Price: 0.3 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

863-SBC846BPDW1T1G

N° de fab. :

SBC846BPDW1T1G

Fab. :

onsemi

Description :

Transistors bipolaires - BJT SS SC88 DUAL GEN XSTR

Fiche technique:

SBC846BPDW1T1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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02/03/2026 attendu
Délai usine :: 42

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,301 €	0,30 €
	0,204 €	2,04 €
	0,129 €	12,90 €
	0,08 €	40,00 €
	0,059 €	59,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,052 €	156,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

SBC846BPDW1T2G

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

0,23 €

Min.:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-363-6
Polarité du transistor:	NPN, PNP
Configuration:	Dual
Courant CC max. du collecteur:	100 mA
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	65 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	80 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	6 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	600 mV, 650 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	380 mW
Produit gain-bande passante fT :	100 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Qualification:	AEC-Q100
Série:	BC846BPDW1
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	200 at 2 mA, 5 V
Gain de courant CC hFE max.:	475 at 2 mA, 5 V
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	7,500 mg

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Fiche technique

SBC846BPDW1T1G Fiche technique

PCN

SPICE Models

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Transistors bipolaires BC846BPDW1

Les transistors bipolaires BC846BPDW1 d'onsemi sont des transistors doubles à usage général conçus pour les applications à montage en surface à faible puissance. Ces transistors NPN/PNP sont logés dans le boîtier SOT-363/SC-88. Les transistors bipolaires BC846BPDW1 sont homologués AEC-Q101, compatibles PPAP et disponibles en boîtier sans plomb. Ces transistors PNP NPN sont sans halogène/sans BFR et sont conformes à la directive RoHS. Les transistors bipolaires sont idéaux pour les applications à montage en surface à faible puissance.