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S-5719BCDL0-I4T1U

Name: ABLIC S-5719BCDL0-I4T1U
Brand: ABLIC
SKU: 628-S5719BCDL0I4T1U
Price: 0.93 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

628-S5719BCDL0I4T1U

N° de fab. :

S-5719BCDL0-I4T1U

Fab. :

ABLIC

Description :

Effet Hall/Capteurs magnétiques enfichables MAGNETIC SWITCH, OMNIPOLAR, TCYCLE=133.2MS, ACTIVE LOW, BOP=1.8mT

Cycle de vie:

Commande spéciale d''usine:

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Fiche technique:

S-5719BCDL0-I4T1U Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,937 €	0,94 €
	0,79 €	3,95 €
	0,734 €	7,34 €
	0,618 €	30,90 €
	0,574 €	57,40 €
	0,484 €	242,00 €
	0,451 €	451,00 €
	0,42 €	840,00 €
5.000	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ABLIC
Catégorie du produit:	Effet Hall/Capteurs magnétiques enfichables
RoHS:
Courant d'alimentation de fonctionnement:	0.2 uA
Courant de sortie max.:	1 mA
Point de fonctionnement min./max.:	0.6 mT to 3 mT
Point de déclenchement min./max.:	0.1 mT to 2.4 mT
Tension d'alimentation de fonctionnement:	1.5 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Style de montage:	PCB Mount
Package/Boîte:	SNT-4A
Série:	S-5719
Marque:	ABLIC
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	JP
Type de sortie:	CMOS
Type de produit:	Board Mount Hall Effect / Magnetic Sensors
Sensibilité:	1.8 mT
Sous-catégorie:	Sensors
Tension d’alimentation - Max.:	3.6 V
Tension d’alimentation - Min.:	1.3 V
Style du raccordement:	SMD/SMT

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Fiche technique

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TARIC:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

S-5719 High-Accuracy Hall Effect Switch ICs

ABLIC S-5719 High-Accuracy Hall Effect Switch ICs consume low current with low voltage operation, making them suitable for battery-operated portable devices. When the IC detects the intensity level of magnetic flux density, the output voltage changes. The ABLIC S-5719 features a magnetic simulation service that enables the detection of open/close in various devices and helps reduce costs in prototype production and development.