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RS3G160ATTB1

Name: ROHM Semiconductor RS3G160ATTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS3G160ATTB1
Price: 2.72 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RS3G160ATTB1

N° de fab. :

RS3G160ATTB1

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -16.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

Fiche technique:

RS3G160ATTB1 Fiche technique

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-,-- €

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-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,72 €	2,72 €
	1,77 €	17,70 €
	1,25 €	125,00 €
	1,06 €	530,00 €
	0,989 €	989,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,897 €	2.242,50 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOP-8
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	16 A
Rds On - Résistance drain-source:	6.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	120 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	210 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	65 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P - Channel
Délai de désactivation type:	260 ns
Délai d'activation standard:	24 ns
Raccourcis pour l'article N°:	RS3G160AT
Poids de l''unité:	83 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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